今天给各位分享三极管如何驱动mos管的知识，其中也会对进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！

本文目录一览：

• 1、12V直流电机,单片机控制三极管驱动MOS管?
• 2、怎么工作的?三极管,是为了扩大MOS的驱动电流?
• 3、三极管组成推挽驱动与一只三极管驱动mos区别
• 4、怎样用pnp三极管控制mos管。有简易电路的话最好
• 5、这个图中两个三极管和MOS管是怎么配合工作的?

12V直流电机,单片机控制三极管驱动MOS管?

之所以用MOS驱动是因为单片机I/O驱动能力很弱（一般只有500mA左右的电流）。D14的作用是为Q1和Q4组成的互补输出电路提供开启电压，让QQ4始终在开启状态。电源改成12V你不需要改任何东西。

不能，单片机使用的是5V电源，而你的电机却是12V，所以是不能直接驱动的。可以视电机大小使用MOS管或三极管进行驱动，如果电机大的话，建议使用光电隔离以免电机运转时干扰单片机的正常工作。

可以加一级简单的三极管驱动来实现。单片机是一个弱电器件，一般情况下它们大都工作在5V.驱动电流在mA级以下，而要把它用于一些大功率场合，比如控制电动机，显然是不行的。

，是 PNP 型三极管，只能用于驱动 +5V 的负载。驱动大于 +5V 的，必须用 NPN 型的。到我的百度空间看看，有现成的电路。

怎么工作的?三极管,是为了扩大MOS的驱动电流?

1、提高MOS管开通速度，降低其关断速度。主要还是降低MOS管的开关损耗。

2、三极管的工作原理：三极管，全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

3、三极管放大原理，简单的说：管子工作前题是BE结加正向电压BC结加反向电压，然后发射区向基区扩散电子，电子在基区边界扩散与复合，空穴由外电源补充，维持电流。电子被集电极收集。

4、集电极负责补充能量，基极负责触发控制，发射极负责输出。

三极管组成推挽驱动与一只三极管驱动mos区别

三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

区别：载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

怎样用pnp三极管控制mos管。有简易电路的话最好

1、给你这个电路图做参考，手摸AN1，灯逐渐亮，摸AN2灯逐渐暗。

2、通过集电极输出到两个三极管T5T8的基极，信号的正半轴时T5导通，通过R49加在场效应管T6上面，使其导通，马达旋转，马达转速的快慢取决于控制信号的情况。

3、高频干扰几个并联电容首先能滤掉一部分。如系统发生电压升高：- D4稳压管两端电压不变，既PNP基极电压不变。- 但电流增大也就是R1两端电压升高，既PNP发射极与基极电压差变大。这时PNP导通能力变大或者导通。

4、换成PNP三极管后的电路。结构变了，输出逻辑与β的关系也会变。既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。

5、因为Q1和Q3是高端驱动，采用了PNP管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。如果采用三极管和MOS管的结合，那么只要把Q2和Q4替换成N沟通的MOS管就可以，因为N沟通的MOS管比较成熟，也比较常见，价格也OK。

这个图中两个三极管和MOS管是怎么配合工作的?

两个三极管QQ3是开关推挽工作，正常逻辑应该是这样：光耦TF1有信号时，上管Q2导通，驱动MOS管开通。光耦TF1无信号时，上管Q2截止，下管Q3导通，迫使MOS管关断。

高频干扰几个并联电容首先能滤掉一部分。如系统发生电压升高：- D4稳压管两端电压不变，既PNP基极电压不变。- 但电流增大也就是R1两端电压升高，既PNP发射极与基极电压差变大。这时PNP导通能力变大或者导通。

总结：PNP和P-MOS管的电路是兼容的，区别在于MOS一般通过的电流更大，NPN和N-MOS同理。另外，P-MOS管和N-MOS管的电路不可兼容，即N-MOS管不能接在VCC上作开关功能。

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